Close
شما هیچ موردی در سبد خرید خود ندارید
جستجو
بازگشت

⁠مقاومت درین سورس در ترانزیستور MOSFET

⁠مقاومت درین سورس در ترانزیستور MOSFET

⁠مقاومت درین سورس در ترانزیستور MOSFET
یکی از مشخصات خیلی مهم در انتخاب ترانزیستور MOSFET مقدار Rdson یا مقاومتی هستش که ترانزیستور در حالت روشن بین پایه های drain و source از خودش نشون میده. این مقدار که معمولا مقداری از چندین میلی اهم تا چندین اهم هستش وقتی جریان از ترانزیستور عبور میکنه باعث ایجاد تلفات خواهد شد. بنابراین در صورتیکه این مقدار زیاد باشه باعث بالا رفتن تلفات و در نتیجه باعث بالا رفتن دمای ترازیستور میشه. در واقع تنها تلفات این نوع ترانزیستور رو میشه در حالت DC با توجه به Rdson در نظر گرفت. پس هر چه این مقاومت کمتر، تلفات پایینتر، خنک سازی و هیت سینک و این مسایل ساده تر.
مثلا در این تصویر که مربوط به irf1405 هستش مقدار Rdson برابر 5.3 میلی اهم هستش و جریان حداکثر 165 آمپر. یعنی مثلا در جریان 10 آمپر DC اگه ترانزیستور در حالت اشباع باشه توان تلف شده روی ترانزیستور 530mW هستش و عملا نیازی به خنک کننده نیست.
حالا اگه همین مدار رو با IRF740 که مقدار Rdson برابر 0.55 اهم هستش پیاده سازی کنیم در همین شرایط توان تلفات 5.5 وات خواهد بود و مطمئنا نیاز به خنک کننده خواهیم داشت.